驱动mos管（推挽电路驱动mos管）

发布时间：2023-06-09

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正常情况下，不会烧坏IO口，但是如果MOS管被烧的话，有可能有大电流灌入IO口，从而造成烧坏IO口的情况。

不可以，mcu i/o口出来的电压太低，不能驱动mosfet，要经过放大。单片机出来加个自举电路就可以。

查看MOS的规格书。这个mos能够被IO直接驱动。

可以。我们认为MOS管是电压控制型器件，其正常工作时是不需要电流的(开或关的稳态条件下)，只要有维持电压，MOS管即可保持开启或关闭状态。串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。

单片机的5VI/O能否直接选通NMOS管，取决于NMOS的导通电压，现在有些栅极导通电压低至2V多，这样自然就可以。早期的NMOS管的导通电压是 6V ，5V的IO就不行了。

单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

驱动mos管（推挽电路驱动mos管）

交越失真产生的克服方法：避开死区电压区，使每一晶体管处于微导通状态，一旦加入输入信号，使其马上进入线性工作区。

使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。

用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。直接可以连接，简单方便。

，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。

1、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

2、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

5、台灯电路中，有用MOS管作开关电源将高压变低压後控制灯具如LED ，又有用MOS管作镇流器点亮节能光管，又有...等等。选用的MOS管要清楚工作电压，需要电流功率等。一般MOS管驱动要求和三极管一样。