肖特基二极管（肖特基二极管电路）

发布时间：2023-06-13

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1、肖特基二极管与普通二极管区别如下：正向压降数值不同：直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。

2、所以肖特基二极管与普通二极管明显的区别如下：肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短，所以工作频率更高。肖特基二极管的反向耐压比普通二极管低，一般低于200V。肖特基二极管的正向压降比普通二极管低，因此功耗低。

3、肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。

4、肖特基二管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

它的主要工作原理是：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

肖特基二极管工作原理肖特基二极管是一种半导体器件，它由一个p型半导体和一个n型半导体组成。p型半导体中含有负离子，而n型半导体中含有正离子。

肖特基二极管的作用肖特基二极管，是一种低功耗，超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短（可以短至几纳秒），而正向压降仅为0.4V左右。

肖特基二极管（肖特基二极管电路）

肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的主要特点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。

肖特基二极管，是一种低功耗，超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短（可以短至几纳秒），而正向压降仅为0.4V左右。

肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。