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VCC 和 VO 终端可能被绑到一起来实现惯常的光敏达林顿晶体管放大器操作。基极接入终端实现对增益频段的调节。6N139 适用于 CMOS、LSTTL，或其它低功率应用中。
三极管输出的光耦； 〔1〕按输出结构分有三种：无基极引线光耦，有基极引线光耦，双三极管的达林顿光耦。
til113光耦用法：一脚二脚可以内接发光二极管。til113引脚功能是，一脚二脚内接发光二极管，三脚四脚内接三极管的集电极和发射极。
这样的充电电流同常达到安A级以上，这是单片机io口所不能达到的，所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。
MOS管不只能够做开关电路，也能够做仿照拓宽，因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。
为啥不把电路图给全呢？开关电源里这么用，变压器初级的三极管为了驱动变压器，变压器用于把单端驱动信号变成适合驱动推挽CMOS对管的两个相位差180度的信号。此外变压器还用作电气隔离。
管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子 载流子均参与导电，是“双极型”器件；d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
1、d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
2、MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度，实现沟道（漏极）电流控制。MOSFET是个电压控制电流的器件。
3、输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
4、MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
5、从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。
6、MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
两个三极管分别负责控制信号正负半周的放大任务，在MOS管基极得到一个完整的信号，并且信号的幅度和强度足够驱动MOS管。
答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。
MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度，实现沟道（漏极）电流控制。MOSFET是个电压控制电流的器件。
三极管是电流控制型器件。真正要弄明白三极管的工作原理要学量子力学，固体物理学，半导体物理学，晶体管原理4门课 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
三极管和mos管差异很大：一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（MOS）；三极管廉价，mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流本地开关电路。
总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
这个驱动那个，那个再驱动另外一个，你不觉得很复杂么。可以直接三极管驱动继电器，由继电器来控制LED灯的开关。
你的要求能不能改下，全部用Nmos？因为Pmos价格比较高，而且型号少。三极管集电极串个电阻，然后从电阻下方引出一条线到Nmos的栅极，电阻多大都可以。只要栅极电压乘以跨度满足远远大于漏极或源极电流即可。Pmos。。
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
1、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
2、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
3、一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（MOS）；三极管便宜，mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
4、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
5、工作性质：三极管用电流控制，mos管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
关键词：mos管的 驱动mos管 双三极管 光耦 三极管驱动mos 达林顿光耦 三极管输出 三极管组成 mos和三极管管 发光二极管 电阻的 导通电阻
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