mos管开关电压（mos管开关）

发布时间：2023-06-17

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1、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

2、这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

3、P型场效应管应从S极输入、D极输出，你把输入和输出弄反了。那个R23，应接在S、G之间，而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻，当控制信后从0到1时，迅速将加在G极的负压释放，保证有效关断。

4、是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

这个是利用UC3842做的相对比较成熟的电路，至于MOS管所有的开关的电源都会用到，作为开关管。图中的VT1就是。至于型号要看具体的设计电压和电流，220v输入的开关管耐压600V的OK了，一般的型号都可以。

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。

图中L1的左边部分的元件就构成了一个MOS开关电路。不过这个电路是高电平导通的，你只需要把Q5换一个N-MOS就行了。

1、因为mos管通入的是交流电。MOS管通常被用作电源开关使用，通常使用PMOS做为上管，将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景，但使用较少。此贴为科普贴，就不做累述了。

2、这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

3、你可能认为给一个高电平，三极管输出高电平（约12V），MOS管导通。但是假如三极管导通，从三极管输出的电压比IO口电压还要小一个导通压降0.7v。另外发射结要经过一个电阻接地，不然12v和地就短路了。

4、）你的PCB上地绘制可能有问题，可能MOS开通瞬间大电流经过3V地，造成地电平发生变化。2）还有就是这个大电流如果与3V有关的话那就是启动电流太大了，串电感抑制瞬间大电流或者增加3V电容增加抗冲击能力。

5、因为负载电流经过MOS管时，在管子内阻上产生了电压降。

6、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。

mos管开关电压（mos管开关）

1、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

2、spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

4、解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。

MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

干吗这么关注这些名词呢？Vgs和Id有一定的曲线关系，当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流，电流不再增加，就是饱和了。就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系。

mos管的放大区就是饱和区，mos的三种状态没有击穿区，是截至区，击穿区可以定义为第四种状态。