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放大系数表达了IE转化为ICN的能力,一般能达到0.98以上。为了达到0.98须使IB足够小,IB=IEP+IBN-ICBO。基区宽度薄粗氏且掺杂浓度低,电子与空穴复合机空斗会少,使得IBN和IEP很小,大多数电子斗凳磨都能扩散到集电结边界,集电结面积大更容易收集电子,增大IE到ICN的转化率。
硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质,以获得所要求的导电类型和电阻率。发射区掺杂浓度高可以提高三极管导电性。
这个主要是念镇取决于三极管的工作原理,三极管的工作原理是发射极电子穿过基极,三极管之所以可以放大原因就在于野带掺杂度的不同,不同的浓度间接表仔脊粗示了不同的
浓度最大的是发射区山蔽芹,为了获得尽可能大的放大倍数,发射区浓度需要很大,以便可以发射足够多的载流子,同时,集电区面积要足逗毕够大并庆,以便收集载流子。
三极管辩则清电阻与掺杂浓度的关系携前就是一般三极管设计时,射极的掺杂浓度较基极的高盯物许多,如此由射极注入基极 的射极主要载体电洞(也就是基极的少数载体),希望我的回答对你有帮助。
这个由三极伏掘管的工作原理来决定,三极管的E极掺如裂杂浓度决定了三极管发射电子的能力,也就是渣厅闭跟它的通过电流能力和放大倍数有直接关系。
这搜纯个主要是取决于三极管的工作原理,三极管的工作原理是发射极电子穿过基极,到达集电极形成电流的。如果集电极与发射极唤逗掺杂浓度相同,那么就不会有电子漂移,也世链咐就没有了电流。
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