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1、TI有个MOS芯片CSD87351Q5D，能达到5M，但是典型应用里没提驱动芯片！MOS也得选Qgs低的贴片MOS才行呀。
2、驱动单个mosfet管用芯片。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
3、IRF730做几MHz？你没搞错吧。一般的功率MOSFET，工作频率在3MHz以下。而且频率越高，功率越小（晶体管的工作频率与功率是一对矛盾）。你要不就搜搜高频功率MOSFET看看。
4、MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。
5、TL494是一款常用的PWM调制器，在控制电机、LED等应用中广泛应用。在使用TL494来驱动MOS管时，需要注意以下几个问题：输入电压范围：TL494的输入电压范围一般为7V至40V，需要确保输入电压在规定范围内，否则可能会损坏芯片。
6、在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
如果你驱动两个独立MOS管，也是只能互补驱动，并不能独立自由驱动 在要求不严格的场合，你可以直接用光耦驱动，不需要这种专门的驱动芯片。你级别较低，为了后续更好的交流，得到答案后请及时采纳。
不可以。氮化镓驱动芯片不同于硅驱动芯片的地方在于，硅或者碳化硅一般会需要较高的门级驱动电压，通常在12V以上。而驱动氮化镓需要5到7V的电压。同时因为氮化镓的开关速度较快，上拉下拉电流会需要大一些。
IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。 如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。
MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。
可以。普通MOS的G极驱动电压要求达到4V，电流几乎没有要求，所以用51单片机是可以直接驱动的。但具体使用的时候有些地方要注意：mos管分P沟道和N沟道，驱动时要考虑极性，另外，直接用51驱动，开关速度不能太高。
mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。
VCC 和 VO 终端可能被绑到一起来实现惯常的光敏达林顿晶体管放大器操作。基极接入终端实现对增益频段的调节。6N139 适用于 CMOS、LSTTL，或其它低功率应用中。
til113引脚功能是，一脚二脚内接发光二极管，三脚四脚内接三极管的集电极和发射极。
建议你使用PNP三极管（9012等）很容易实现低入高出，并且具有良好的放大性能。我使用在很多无需隔离的电路中，多年来表现非常稳定可靠。
DSP 的I/O为低电平时，三极管be结之间无电压，三极管处于截止状态。三极管ce结相当于一个大电阻，所以有很大的分压，使得达林顿管的二极管上的分压几乎为零，达林顿管截止。
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