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如果控制电流不大（ 2A~3A ) 可以用左图, R5+LED1 可以换没渗成需要控制的 负载,
电压根据负载电压。
如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图, R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制枯羡脊的 负载,
电压根据负载电压。注意mos管的 g极派纯 电压 不可以 高于 20 V.
亲！单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大咐巧棚，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通
简单一点的你可以用个光耦做隔离，单片机PWM连接光耦的输入（要加限流电阻），光耦输出通过一个电阻连接mosfet电源或者S极
你可以参考下图，是我自己做的，调节有刷直流电机转速的基本原理，其它外设没有画。负载是一个普通的直流有刷电机，用的PC817光耦隔离单片机和电机电路。51单片机输出PWM控制PC817的导通关断从而间接控制mosfet的通断，改变PWM占空比可以调节电机转速。R1是PC817的限流电阻，R2是因为V比较衡则高，所以要调节到mosfet允许的驱动电压范围，多数的mosfet都是10V以上可以接近完全导通，此时损耗比较小，但一般小于15V，因为很多MOSFET栅极允许电压都要求不高于20V，留几V做设计余量，可以理解为高铁设计时速400，实际只跑300一宽芹样的道理
可以。
普通MOS的G极驱动电压要求达到4V，电流桐旦几乎没有要求，所以用51单片机是可以直接驱动的。
但具体使用局历扰的时候有些地方要注烂培意：mos管分P沟道和N沟道，驱动时要考虑极性，另外，直接用51驱动，开关速度不能太高。
分开说，30分钟定时开关，这个可以通过写程序实现，程序定时控制一个IO，比如说P1.0，30分钟P1.0输出一个高电平，30分钟后再变为低电平。
再说P1.0的控制信号有了，需要通过驱动电路控制MOS管，来控制外部设备，这个驱动电路和MOS管友闷需要根据你的负载来选择，如果负载电流大，电压高，相应的需要选择一个电压高、功率大的MOS管，反之，则仅需要一个小功率的MOS管。MOS的好游弯参数不一样，价格、体积相差很多。MOS管还分P沟道和N沟道的。确定了MOS管，再根据MOS管磨银的要求设计一个驱动电路，这个具体要看MOS管的型号来定。
最后，如果是30分钟的开关，可以考虑使用继电器，不一定用MOS管。
电路原理图：
单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸盯逗收缓冲，最好用N沟道的MOS。
如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。
常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。
扩展资料：
MOS管应用
1、低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
2、宽电压应用
输入电压并不是一个固定雹如值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱凯肆卖动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
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