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结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。
场效应管的抗辐射能力强;由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
MOS场效应晶体管通常简称为场效应管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件,和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性,更多内容详见飞虹微电子。
功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下: 驱动方式:场效应管是电压驱动,电路设计比较简单,驱动功率小;功率晶体管是电流驱动,设计较复杂,驱动条件选择困难,驱动条件会影响开关速度。
1、特点:由栅极电压控制其漏极电流,是电压控制型器件。主要作用:放大,恒流,阻抗变换,可变电阻和电子开关等。
2、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、(1)转移特性:栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。(2)输出特性: UDS与ID的关系称为输出特性。(3)结型场效应管的放大作用:结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。
MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管的特性 开关特性。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS管全称是MOSFET,意思是金属绝缘栅型场效应管,因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名,且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种(另外一种是结型场效应管)。
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