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1、这张图显示的是PMOS耗尽型场效应管，因为源极漏极连接线与表示基板的竖线直接连接。一般来说，符号右边的上下两条竖线，带有箭头的一极表示源极S，而不带箭头的一极表示漏极D。
2、一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。
3、写“1”：在I/O线上输入高电位， 在I/O线上输入高电位，把高、低电位分别加在A，B点，使T1管截止，T2管导通，至此“1”写入存储元。
4、你的第二条中栅极和源极电位整体上移，场管工作状态不变，如果DS间电压没有变，通过DS间的电流就不会变。
5、与NMOS管的漏极D相连的为负载限流电阻，不能省略，否则，输入高电平时NMOS管将烧毁。
1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。
2、P和N 。这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。增强型耗尽型。
3、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。
1、ASEMI的低压MOS管20N06是一款TO-220封装的器件，其体积大小为约31立方厘米。具体体积大小还取决于该器件的厚度，不同厂家生产的同型号器件可能会有略微不同的体积大小。
2、它们外观基本相同，都是54mm脚距的3脚单列直插封装。
3、A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。
4、电子元件是功率问题。功率越大的，其体积肯定就会相应的变大，所以就导致了三极管，或他类同 出现了这么多的不同的封装。
5、(rds)， ohm： 0.72 封装形式： to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。管子印有字体一面对着人脸，从左到右依次是一脚为G(栅极) ，二脚为D （漏极)，三脚为S（源极）。
6、A 、55A、40A 80V290A、190A的MOS管、105A、60A、15A的MOSFET。100V8A、12A、14A、60A、70A、100A、115A、150A 120V44A、110A、160A 封装有DFN5*6，DFN 3x3，DFN3*3，TO-220，TO-247，TO-3P。
关键词：电阻 一个电阻 连接线 n沟道耗尽型mos管 mos管
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