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MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。
它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。
再简单一点,就是考虑更好的散热吧。功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。
电源的话开机烧MOS管有很多原因:开机瞬间Vds太高超过管子耐压导致击穿;驱动能力不足,导致管子没有完全导通,导通电阻太大热死;如果是桥式拓扑,有可能驱动的死去时间不够,导致上下管直通短路烧死。
所谓四相电源就是并联四个单相电源,采用IC,MOSFET,电容来构成新型电源供电电路,满足低电压,大电流的直流-直流转换器供电电路的需求,保证电源转换的高效率和更优的电源开关电路曲线。
要看看是击穿还是过流烧焦,比较难确认,还有可能是触发电路误动作(我还试过是没有考虑单片机上电时输出状态不确定的误触发)。击穿马上发生过流。
和电容组成RC似乎不妥,电容位置应该是独立的驱动电源,降低电压变化速率,也起稳定作用,目的是释放栅极积累的电荷,避免误导通。
你既然不了解MOS管的作用,我建议你还是在使用前看一下童诗白的《模拟电子技术基础》(第四版)。PMOS要分成两种类型,一种是增强型,一种是耗尽型。两种控制手法有点不一样。
带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
MOS开关电路图电路图如下:AOD448是30V 75A的管子,是用5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,电压用5V就能驱动。当电压为5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管由两个基极和一个漏极组成,其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时,通道内的电流较小;当通道的控制电压较高时,通道内的电流较大。
工作原理:在MOSFET中,连接极与P沟道区域之间隔离,因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时,N沟道区域的电流会增加,电流就会从源极流入汇极。
一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大,然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
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