电子管654（电子管6550和kt88比较）

发布时间：2023-07-02

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我想你问的是什么管跟IRF640匹配吧，应该是IRF9640，增强型P-MOSFET。

与之配对的是IRF9640。你查一下IRF9000系列VMOSFET吧，该系列都是P沟道的。肯定有符合你要求的。

要想此场效应菅完全导通只有把R21减少到3K ，使场效应菅控制极电压上升到足以完全导通，这时DS极菅压降约为0V。

TL494是比较老的PWM芯片，输出级为单边驱动，适用于驱动双极型晶体管，不太合适用于MOSFET的驱动，因为它们的输入电容较大。看这个波形应该是用E极驱动的，上升波形陡峭，下降驱动能力没有，只能靠电阻形成RC放电。

可以完美替代。都是N沟道场效应管/MOS管，同一系列，IRF520N是100V10A0.2Ω，IRF640是200V18A0.18Ω，其他参数也优于IRF520N。

IRF640是N沟道MOS功率管，参数为：18A， 200V， 0.180 Ohm， N-Channel Power MOSFETs。IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

用场效应三级管代替。场效应管用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

代替如下：IRFS640A 200V ，8A 43W 代替 IRF640 200V 18A 125W 634。840，740都可以用 10N60。

用参数相近，同类型的三极管代替。不能用其他电子元件代替三极管。

TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。

GT2301 GT3401 GT2305 GT3401 沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。

SJ76，－140V，－500mA 。2SJ77，－160V，－500mA 。2SJ146，－50V，－100mA 。2SJ146，－60V，－200mA 。2SJ167，2SJ168，－60V，－200mA 。2SJ209，－100V，－100mA 。

海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

1、你在元件查找关键字栏输入：AT89，就会出现好多89系列的单片机芯片，目前比较流行的是89芯片，它与80芯片完全兼容。

2、OE可以直接接地，LE接锁存控制信号，D0~D7接数据输入（IO口），Q0~Q7数据输出。

3、在电脑上打开proteus软件后，点击图中的“P”字按钮，如图所示。然后在出现的窗口中，在keywords栏中输入“AT89C51”。然后在右侧出现的选项中选择需要的C51单片机，如图所示。

电子管654（电子管6550和kt88比较）

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