mos管电流余量（mos管的电流流向）

发布时间：2023-05-17

阅读量：170

本文目录一览：

如果MOS管电流超过允许值，则可能会导致MOS管发热，从而导致MOS管损坏。此外，电路中的其他元件也可能会受到损害，因为电流超过允许值可能会导致电没仔路过载，从桐察裂而导致故障。局闭

mos管电流余量（mos管的电流流向）

1, 栅极过电压是烧管最常见的原因！

2，主板设计时该MOS管的电流余量不够大，在大电流情况下容易烧毁

3，与主板上高温元件（比如大电流的电感线圈）设际上靠得太近，管子本身的热量散发不出去，逐渐积累的高温桐槐使管子不稳定导致烧毁

4，供电质量差（比如使用低劣的电源），电流不稳

5，局闭友频繁的开机关机，瞬间大电流频繁冲击

6、偶见管子本态卖身制造质量问题

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考纯仔虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。选择额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

扩展资料

MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS（ON）决定，并随温度而显着变化。器件的功耗可通过Iload2×RDS（ON）计算得出。

由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS（ON）越小；否则饥谈RDS（ON）越高。请注意，RDS（ON）电阻会做肢汪随着电流而略有上升。

参考资料来源：百度百科-mos管