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1、一般电解电容器因为内阻较大故D值不能超过0.01。
2、低频电容器要求tanδ<4%,高频电容器要求tanδ<1.5‰。
3、电容的损耗系数是DF,要用LCR METER测试,测试频率为120HZ,测试电压为0.5V或1V;电容损耗的计算公式DF=2*pi*fC*ESR,其中pi为圆周率14,f是频率,C是容值,ESR是等效串联阻抗。
4、衰减系数:衰减系数是指电容器在额定电压和额定频率下,在规定时间内电容值的变化率。通常,电力电容器的衰减系数应不大于0.5%-0%/年。
5、损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容,其 DF 值一般在 0.03% 至 0% 之间。室温时,陶瓷电容的 DF 范围是 0.1% 至 5%。电解电容的 DF 值通常会超出上述范围。
1、s表示:两极板正对,错动极板会导致正对减小也会使电容减小。4∏k表示:常数 ,即有自己的数字,是定量。d表示:两极板的距离。C表示:在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。
2、电容的决定式为:C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。
3、内行人都被弄糊涂了。d和D含义不同。如果是物理学参数,d表示极板间距离(介质厚度),Q表示电容器储存的电荷量;如果是电容器工程参数,D代表电容器的损耗角正切值tgδ,表示它工作时的发热情况。
4、电容的决定式是C=εS/4πkd。其中ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。决定式就是决定其大小的公式,电容的大小,只与e、S、k有关。
5、电容的Q值和D值:Q值为品质因素,D 值为损耗角因素,也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数,因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数,Q值越高,其损耗越小,效率越高。
6、电容的通用公式:C=Q/U。一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U。平行板电容器专用公式:板间电场强度E=U/d 。电容器电容决定式 C=εS/4πkd。
1、电容的损耗因数d在百分之零点三至百分之一之间。损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容,其DF值在百分之零点三至百分之一之间。
2、精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
3、如一般带的软特性负载那可无所谓了,只要能正常启动并没有明显的降低效率时就可不理它,如对电机出力要求比较高并带的负载的机械特性硬那最好一般到了50%的原来容量时就换的的好,甚至在70%就换了的好。
4、所以1μF电容的容量范围在0.8~2μF之间,如果小于0.8μF就可以认为不能使用了。当然,测量电容的仪表或工具本身精度也很重要,如果电容实际的容量偏低,再叠加测量仪表的误差,就可能使测量结果偏差过大。
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