常用mos管驱动芯片（mos管驱动芯片）

发布时间：2023-07-27

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IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下：连接电源：将VCC引脚连接到5V或12V的电源，将COM引脚连接到地。

IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。

IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。

但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。

后半个周期截止，流过电机的电流为零，根据PWM的占空比控制导通时间，导通时间越长，单位时间内留过电路的是电流越多，功率越大。

常用mos管驱动芯片（mos管驱动芯片）

1、IRF540就是很常用的MOS管了特殊负载如H桥里面的双MOS驱动有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。

2、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。直接可以连接，简单方便。

3、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

4、驱动器芯片（Driver chip）：常见的驱动器芯片有ULN200ULN280L293D、L298N等，这些芯片均采用集成式的高压大电流输出器件，用以驱动电机、继电器等负载。

5、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

6、可以。普通MOS的G极驱动电压要求达到4V，电流几乎没有要求，所以用51单片机是可以直接驱动的。但具体使用的时候有些地方要注意：mos管分P沟道和N沟道，驱动时要考虑极性，另外，直接用51驱动，开关速度不能太高。

1、TC1205为节能型高精度闭环控制两相步进电机驱动芯片，采用QFN34封装，自带微步、脉冲+方向接口和SPI通信接口，电流自适应负载和堵转检测功能，同时可以选择不同MOSFET驱动不同尺寸的步进电机。

2、TC4426是一个5A 双高速功率MOSFET 驱动器，若想控制TC4426的输出电流，需要在负载和TC4426的地之间串接一个电流采样电阻，根据采样电阻两端的电压，计算出当前TC4426输出电流。若电流超出预定值，则，减小占空比，否则。

3、TC4421/TC4422的输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢升高或降低的波形来驱动器件。

4、这是一个双路驱动IC，可以把信号驱动能力放大，8IN，有很多类似型号，TC426 TC428。

它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。

1、-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。

2、和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

3、如果是MOS管的话，查下4435是否可以。或者是把D.S短路也可以。