可控硅的保护电阻（可控硅保护电阻选择）

发布时间：2023-07-27

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1、用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。

2、正向测量，一般正向漏电流小于1MA，那测出来应该大于800k。反向漏电流更小些测出的电阻更大。

3、晶闸管的导通电阻是个非线性数字，一般为2V以下。

4、快速鉴别可控硅三个极也就是引脚的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

5、可控硅中频电源大多采用水冷却。冷却水的电阻率应大于20ΚΩ·cm，PH值为6-8，如条件允许，最好使用蒸馏水，以防长期运行中产生水垢，堵塞管路。进出水的压力、水温应满足产品说明书的要求。

6、若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

可控硅的保护电阻（可控硅保护电阻选择）

1、根据被保护电源电压选择压敏电阻器的规定电流下的电压V1mA。

2、压敏电阻的压敏电压（min(U1mA））、通流容量是电路设计时应重点考虑的。在直流回路中，应当有：min(U1mA)≥(8～2)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。

3、推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。

——★220V、5KW电阻性负载的电流为：5000W÷220V＝273A，选用双向可控硅的电流应是负载电流的2倍较好，应该用50A / 500V的双向可控硅。——★电感性负载（如电动机）的电流，与功率因数有关。

通过电位器控制三极管，用三极管控制可控硅的控制极，控制其导通角来控制电机的转速。

单相交流电动机有两个绕组三个接线头，两组线圈的公共端接在电源的一根线上，其余的两个线接启动电容，只要把电源另一根线用开关控制分别（转接）接在电容的任意一端（必须是反正转的电机），就会实现反正转。

双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

倍的。因为在可控硅工作当中自身会发热，温度越高，这个电流会越低。一般说16A25A 是在25度得情况。温度越高，电流会越低，更容易烧坏。所以用BTA225的更好一点 NXP的。这个是三象限双向可控硅。

双向可控硅可以控制交流电的通断。调整触发电路的导通角，就可以调整输出电压的大小。

1、阻容吸收电路，作用是减小可控硅两端电压的变化率，防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大，就会产生误导通。

2、电阻和电容串联后与可控硅模块的并联，电阻和电容的作用就是为了抗干扰，对保护可控硅是没有作用的。

3、R18，R33 跟IC5组成可控硅触发电路，两个电阻起限流作用，保护光耦及可控硅。R2C7组成阻容吸收回路，可吸收瞬间的高电压，起到保护作用。你电路图画对了吗？一般不用直流光耦驱动的，都用交流输出的光耦驱动的。

4、你说的电阻和电容，一般称为阻容吸收网络。一般在感性回路中，可控硅关断的瞬间，电感产生反电势，阻容网络提供续流回路，起到保护可控硅的作用。

5、可控硅导通的电流是单方向电流，单方向（可以叫脉动直流）电流不可通过电容器。

1、到500欧。连接变压器和可控硅为100A电流，电阻需要300到500欧才可以位维持正常运行。变压器就是一种利用电磁互感应变换电压、电流和阻抗的器件。

2、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。

3、大概这么理解吧：半导体元件导通状态时，其“通态压降/电流”就是通态电阻，例如：通态压降5V，此时电流为100A，则通态电阻是0.05欧。具体概念应该是指额定值。

4、可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。

5、随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节5V干电池，以提高触发电压。