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1、只要是输出电压低于输入电压都可以使用BUCK电路。电感的取值取决于最大脉冲宽度,使其在脉冲宽度最大的情况下电流不进入不饱和段,也就是脉冲宽度越大,所取的电感量也越大。
2、开关频率高,可以用更小的电感来滤除高次谐波,因此面积可以做的很小。比如手机的buck电路,开关频率都上M。但是开关频率过高会导致开关管功耗变大,电路效率变低,因此要折中效率、面积选择开关频率。
3、摘要:提出了一种Boost电路软开关实现方法,即同步整流加上电感电流反向。根据两个开关管实现软开关的条件不同,提出了强管和弱管的概念,给出了满足软开关条件的设计方法。
1、mos导通电压低,控制方便(电压驱动),功耗低。
2、如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
3、三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数,如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
4、主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
5、三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
mos管耐压值选择具体如下:MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。
选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定,并根据经验留出足够的电压余量。理论上,电压越高,MOS越安全,可靠性也越高。但是,同等内阻下,电压越高,成本越高,栅极电容越大,速度也越慢。
mos导通电压低,控制方便(电压驱动),功耗低。
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