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1、外部条件是:电源、输入信号、输出负载。内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置。其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数。
2、内部条件:三极管自身放大倍数、工作频率、各项电压电流参数、静态偏置(要使三极管处于放大偏置状态)。
3、外部条件:发射结正偏,集电结反偏。内部条件:发射区掺杂浓度高,基底区很薄,收集区面积大。为什么集电极结产生反向部分导电而产生Ic似乎与二极管原理所强调的PN结的单向导电相矛盾。
4、放大电路构成放大的外部条件和内部条件是:基本放大电路必须有输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点,以保证晶体三极管工作在放大区。
三极管能够放大信号必须要具备一定的外部条件,即给三极管的发射结加正向电压(习惯称正向偏置或正偏),集电结加反向电压(习惯称反向偏置或反偏)。
对于PNP型管,三极管处于放大的状态的外部条件是Uc<(Ue-0.5V)、Ub<(Ue-0.7V)。
正确的电源电压:三极管需要正常的电源电压才能正常工作。电源电压过高或者过低,都会影响三极管的放大作用。因此,在使用三极管时,需要选择合适的电源电压,并保证电源电压的稳定性。
1、三极管处于放大区的条件是:发射结正偏,集电结反偏。基极电流满足0IbIbs,其中Ibs为基极的临界饱和电流。注:以上两个条件是并列的,满足任何一个都可以判定三极管处于放大区。
2、三极管放大的条件是有合适的偏置,也就是说发射结正偏,集电结反偏,组成原则如下:保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。
3、晶体三极管工作在放大区内的条件是:发射结正偏,集电结反偏。三极管的发射极加正向电压,集电极加反向电压导通后,IB控制IC,IC与IB近似于线性关系。三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。
4、外部条件:发射结正偏,集电结反偏。内部条件:发射区掺杂浓度较高,基区很薄,集电区面积较大。集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。
三极管实现电流放大的条件主要有以下两条: 激活极区偏置:为了让三极管能够正常工作,需要给它提供一定的偏置电压,让其激活电流能够流通。
三极管放大的条件是有合适的偏置,也就是说发射结正偏,集电结反偏,组成原则如下:保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。
三极管处于放大状态的条件为:发射结正偏,集电结反偏。三极管的放大状态就是发射结正偏、集电结反偏的一种工作状态。因为BJT是电流控制的器件,故放大状态的输出电流与输入电流成正比。
外部条件:发射结正偏,集电结反偏。内部条件:发射区掺杂浓度较高,基区很薄,集电区面积较大。集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。
①三极管电流放大作用的条件是:发射结正偏,集电结反偏。②三极管电流放大的实质是:基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用,表明晶体管是一种电流控制器件,具有电流放大作用。
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