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首先,KK是快速晶闸管,频率高;KP是普通晶闸管 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。这也是KP管与KK管的主要区别。KP型晶闸管又叫普通晶闸管,最基本的用途就是可控整流。
KK和KP的区别在于:KK是快速可控硅晶闸管,KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小,其开通时间为4~8微秒,关断时间为10~60微秒。
国产晶闸管型号标准:KP为单向晶闸管,KS为双向晶闸管。
ks为双向可控硅,kp为普通可控硅。kp可控硅不能用来代替ks可控硅,可以用两个kp可控硅反并联代替ks可控硅。kp、ks可控硅尺寸不一样,用ks代替kp有困难。
KP是普通晶闸管,常用在整流电路;KA是高频晶闸管,开关频率可达5K~10K,常用在逆变电路、斩波电路;KK是快速晶闸管,开关频率高于KP系列晶闸管,但低于KA系列,常用在逆变电路中。
KK和KP的区别在于:KK是快速可控硅晶闸管,KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小,其开通时间为4~8微秒,关断时间为10~60微秒。
KP是普通晶闸管,常用在整流电路;KA是高频晶闸管,开关频率可达5K~10K,常用在逆变电路、斩波电路;KK是快速晶闸管,开关频率高于KP系列晶闸管,但低于KA系列,常用在逆变电路中。
国产晶闸管型号标准:KP为单向晶闸管,KS为双向晶闸管。
主要由四部分组成,各部分的含义见下表:第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。第二部分用字母表示晶闸管的类别。第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。第四部分用数字表示重复峰值电压级数。
你好,是有很多作用的。您好,亲不可替代 在中频炉里,KP型可控硅用于整流电路。KK型用于逆变电路。KK是快速型,KP是普通的,不能用KP替带KK。
带裙边(台面直径较大)的为阴极,台面直径较小的为阳极。两根控制线,其中有一根与阴极面直通为阴极线,另外一根为门极线。如图所示,器件下面带裙边为阴极,上面为阳极。
1、KK晶闸管与KA晶闸管都属于快速晶闸管,区别是关断时间不同。KK型快速晶闸管 KK型快速晶闸管为常规快速晶闸管,关断时间为几十微秒,应用于400Hz的斩波或逆变电路中。
2、小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子,大功率光控晶闸管则还带有光缆,光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。所以,光敏晶闸管分别应用于厨房小场合。
3、全称:fast switching thyristor 一种对工作频率有明确标定的快速可控硅则称为高频可控硅(中国型号为KG)。
KP是普通晶闸管,常用在整流电路;KA是高频晶闸管,开关频率可达5K~10K,常用在逆变电路、斩波电路;KK是快速晶闸管,开关频率高于KP系列晶闸管,但低于KA系列,常用在逆变电路中。
双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2。
ZP是二极管,不是可控硅,KP是普通可控硅,KK是快速可控硅,KS是双向可控硅。
首先,KK是快速晶闸管,频率高;KP是普通晶闸管 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。这也是KP管与KK管的主要区别。KP型晶闸管又叫普通晶闸管,最基本的用途就是可控整流。
1、首先,KK是快速晶闸管,频率高;KP是普通晶闸管 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。这也是KP管与KK管的主要区别。KP型晶闸管又叫普通晶闸管,最基本的用途就是可控整流。
2、KK晶闸管与KA晶闸管都属于快速晶闸管,区别是关断时间不同。KK型快速晶闸管 KK型快速晶闸管为常规快速晶闸管,关断时间为几十微秒,应用于400Hz的斩波或逆变电路中。
3、KK和KP的区别在于:KK是快速可控硅晶闸管,KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小,其开通时间为4~8微秒,关断时间为10~60微秒。
4、国产晶闸管型号标准:KP为单向晶闸管,KS为双向晶闸管。
1、不可替代 在中频炉里,KP型可控硅用于整流电路。
2、KK是快速可控硅晶闸管,KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小,其开通时间为4~8微秒,关断时间为10~60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。
3、你好,是有很多作用的。您好,亲不可替代 在中频炉里,KP型可控硅用于整流电路。KK型用于逆变电路。KK是快速型,KP是普通的,不能用KP替带KK。
4、使用KK可控硅的场合用了KP可控硅通常不能正常工作;使用KP可控硅的场合用了KK可控硅通常不影响使用。晶闸管通常称为可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
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