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1、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。
2、直接带隙半导体（Direct gap semiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。
3、直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。
1、要佩戴合适的防护器具，在额定电流、额定功率下使用。
2、是激光器的能量源泉。二氧化碳激光器是由工作物质、谐振腔、泵浦源3个部分组成，其中泵浦源是激光器的能量源泉，利用泵浦源能量将工作物质中的粒子从低能态激发到高能态，实现粒子数反转。
3、光纤激光器的泵浦源，常见的是带尾纤的半导体激光器直接通过光纤耦合器耦合进光纤。目前，主要用半导体激光器作为泵浦源。掺铒光纤激光器主要用980nm或者1480nmLD作为泵浦源，掺镱光纤激光器主要用915nm或者976nmLD作为泵浦源。
4、就可实现种群反演。 在这种情况下，可以发生受激发射的机制，并且介质可以用作激光或光放大器。泵浦功率必须高于激光器的激光阈值。泵能通常以光或电流的形式提供，但是已经使用更多的外来来源，例如化学或核反应。
5、在报关规范中其它规定：――凡在我国生产（包括来料加工）的纺织品均不得在标签、挂牌和包装上标示他国（地区）的产地。
激光管和激光二极管都是激光器中常用的激光发生器件，但它们的结构和工作原理有所不同。 激光管：激光管又称为气体激光器，是一种利用气体放电来产生激光的器件。
第不同点：半导体发光二极管与半导体激光器最大的不同是半导体发光二极管没有谐振腔，是无阈值器件，它的发光只限于自发辐射过程，发出的是荧光，半导体发光二极管最大的特点是：光谱较宽、线性好、温度特性好、耦合效率低。
）两者都是光源，区别在于发光的功率不同。2)辐照角度，或者说色散角度不同，决定了使用时是否需要加透镜准直；也意味着光源照射物体的远近区别。
激光的波长不同，激光二极管使用的可见光波段的光波的情况比较多，比如说红光、绿光、蓝光激光二极管，而二氧化碳激光器的激光束为红外激光，是完全不可见的激光束。
激光二极管是激光器的组成部分（可能是一部分激光器），它发出的是近红外激光，基本可用于电脑光驱和打印机等译系列的产品中。你接触的产品应该是能量较大的紫外激光吧。
激光器的工作存在与普通光源不同之处在于，它同时需要激光工作物质（这在半导体激光二极管LD中，激光工作物质即为半导体材料），泵浦（即外加的能量源），谐振腔。
1、半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。
2、全波整流和半波整流是两种常见的直流转换方式。半波整流只利用交流信号中的一半进行整流转换，即在正半个周期内，将正半截的信号转换成正直流信号，而负半截的信号不进行转换，因而被直接滤去。
3、接线方式不同 全绝缘：全绝缘电压互感器可以直接接地运行，也可以间接(接电阻、零序压变等)接地运行，还可以V形接线不接地运行。
4、承受电压不同：半绝缘电压互感器在系统单相接地时，需要承受线电压的冲击，一般运行不得超过2h，长期运行可能造成击穿故障；全绝缘电压互感器在系统单相接地时，承受的是额定电压。
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