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非线性光耦传递开关信号,线性光耦传递模拟信号,当用于开关信号转换时,是一样的,只是触发方式的区别。
我了解磁耦又叫数字隔离器,主要是数字电路吧。并且磁耦的速度最高能达到150M。高速光耦一般速度最高也就是10M-20M吧。光耦是模拟,磁耦是数字。
为了更进一步形象的说明ADuM磁耦与常用高速光耦6N136与6N137的实际使用效果,我们分别以光耦6N137(东芝)和磁耦ADuM1201为代表,来进行实际的比较。封装:6N137是DIP-8的封装,而ADuM1201是SOP-8的封装。
你可以使用磁隔离芯片,也称为磁耦,不知道你是几路隔离,不好推荐型号,流行的型号有ADM2483,ADUM1201,ADUM1411等。
1、由于电力电子器件造成了大量的谐波和电磁辐射,会对控制电路造成影响,因此也需要隔离。常用的隔离方法有光隔离和磁隔离。光隔离通常采用光电耦合器,磁隔离通常采用脉冲变压器。
2、现在电气隔离的方式有很多种,常用的有变压器隔离、光电隔离、机械式等。
3、电力电子主电路的能量比较大,会产生较强的电磁干扰,从而影响控制电路的正常工作,造成误触发,所以要采用电气隔离的方法来排除干扰。
光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成,光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。
常见的光耦: TLP521-1 , TLP521-2,TLP521-4,分别是1个光耦、2个光耦和4个光耦。HP公司和日本的东芝公司生产。
为了更进一步形象的说明ADuM磁耦与常用高速光耦6N136与6N137的实际使用效果,我们分别以光耦6N137(东芝)和磁耦ADuM1201为代表,来进行实际的比较。封装:6N137是DIP-8的封装,而ADuM1201是SOP-8的封装。
常用的4脚线性光耦有PC817A---C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:LP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。
光耦,即光电耦合器,结构:一般4脚的光耦,输入端跨接的是一只led,输出端跨接的是一只光敏三级管,led和光敏三级管是被密封在一个封装中的。
也就是所谓的光电耦合。常用的 4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光 可以上华强北IC代购网看看,里面做的都是原装现货IC。
首先要说明石英晶体谐振器稳定度很高。越想得高稳的频率,就得使用更高稳定度的晶体。而高稳定度的晶体TS值都会很小。一个五泛音的晶体一般只能调整几个ppm。
以 VCXO为例:压控晶体振荡器(VCXO)是通过红外加控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。
最简单的晶体振荡器,也叫钟振。加上电压调频功能,就叫压控晶振VCXO;加上温度补偿电路,就叫温补晶振TCXO;加上温度控制电路,就叫恒温晶振OCXO。当然,还有VCTCXO和VCOCXO。
主营:晶体谐振器(无源晶振),晶体振荡器(有源晶振),TCXO温补晶振,VCXO压控晶振,TC-VCXO压控温补晶振等。
相对无源来讲。有源晶振内置IC,及电路,spxo普通型晶振,给满足的电压即可工作。TCXO作为温补型晶振,对温度和精度要求较高的场合使用,内含温度补偿电路。VCXO压控晶振,补偿电压波动。
1、两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率,而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外,光MOS继电器在电路设计中更加复杂,而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
2、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间,以保护控制电路。但是,光耦本身并不能提供驱动信号,因此驱动电路仍然需要使用。
3、隔离作用。众所周知,光耦起到信号的隔离作用。
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