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根据知乎资料显示,这款光耦参数如下:高VCEO(集电极-发射极电压):80V MAX。输入二极管正向电压:25V。最大集电极电流:50 mA。集电极和发射极的最大电压比:80V。4引脚DIP封装和SMT封装。
光耦输出端的最大工作电压:30V。光耦输出端的最大工作电流:50mA。光耦的最大工作温度:85℃。光耦的最小绝缘电阻:10^10Ω。光耦响应时间:小于等于4微秒。光耦的耐压能力:1500Vrms。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
1、光耦MOC3081和光耦MOC3083的区别是IFT:光耦MOC3081是15mA;光耦MOC3083是5 mA。光耦简介:光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。
2、首先,这种用MOC3083光耦加双向可控硅控制交流负载的电路,网上到处都是,MOC3083的技术资料上就有的,没有什么可保密的。既然来提问,还要防着别人,这也太不诚心了吧。
3、moc3062与moc3081都是可控硅型光耦,基本一样,区别就是负载的大小。moc3063的负载能力是100mA; moc3081是15mA;不可以用3081代替3062。
是图画错了?如果是这样接线的话,这个双向可控硅是长期导通的。
需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦。
即只能控制导通不能控制截止,单向可控硅最多只能导通半个周期双向可控硅则可以正负半周导通,过零点之后越早给出脉冲那么可控硅输出电压越大。光耦只是一个安全隔离的作用,将低压和高压隔离开,保护低压电路。
把负载放到上面,串联在第一阳极上。 去掉R5,直接短路。
光耦和器件,前半部分作为亮度采集探头的输入,后半部分为双向可控硅触发电路的信号输入,双向可控硅触发电路为灯的控制开关。
触发脉冲太宽了,一般宽度在100~200μs的窄脉冲就够了。你这样的情况消耗触发电源能量不说,这样的脉冲维持到零点很容易使下半周误触发导通使可控硅失控,用正脉冲在正负半周触发是可以的,但触发功率要足够大。
是的,可以理解为短路,不管有没有有效触发,你都可以试着将此两脚直接短路的,这样的话,负载就直接得电工作了。
欧电阻是防止误触发可控硅的。可控硅触发电流是在T1和G脚间,负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。
很简单!使用MOC3020光耦,6脚串一个180欧左右的电阻接在可控硅的A1与G极之间即可。
不清楚要求控制什麼器件,下图是一个moc3020的调光暗电路供参考。
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