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1、MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off))为255NS。
2、MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。
3、mos两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
4、导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。
开关电源IC一般考虑的是效率，效率=P输出/P输入。
输出功率=输出电压X输出电流，这两个参数在电源的铭牌上都应该有的。\x0d\x0a输入功率=输出功率/效率。\x0d\x0a效率一般上小于5W的取0.7，5-12W的取0.75。12W-24W的取0.8，24W以上的取0.8-0.92。
1、开关频率与功耗有关系，但不是正比。MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身 内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。
2、在开关电源中，开关频率决定了开关管开关的速度和频率，而占空比则决定了开关管的开启时间和关闭时间之间的比例。具体来说，开关频率和占空比对开关电源的性能和稳定性都有重要影响。
3、高频开关电源的特点就是，频率越高，内耗越小，内部发热量就越小，所以就可以把功率做得更大，理论上，只要发热量可以保证，或者散热足够好，那么只要频率无穷大，功率可以做得无穷大。理论上。。
开关频率越高，对电机控制的稳定性越好，但是同时频率越高，开关损耗越大，发热严重，管子工作的可靠性就下降了。一般把这些参数加起来，乘以10再取倒数，就是它比较适合的开关频率上限。
是的。开关电源频率高了比较容易发热，因为来回开关电流不断冲击，产生热量，频率过高热量越高。
我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。
这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。
如果你通过用MOS去分压来控制电压，当然会发热。建议做成开关电源电路吧，开关频率一般用300KHZ以上，以减小电感和电容需求值。
关键词：mos管的
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