mos管测试电路（mos管的检测方法）

发布时间：2023-08-30

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在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

N沟道MOS场效应管好坏的测量方法用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为：GS端电压大于0，DS端电压大于0。（P型相反）在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

检验方法：用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

mos管测试电路（mos管的检测方法）

1、跨导外推法基于FET的特性曲线，通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。

2、示波器测电压的方法：示波器钩针接被测电压，黑色的夹子夹“被测电压的地”（使示波器和被测电压有一个公共的参考点）。示波器的探头通常有“×1”和“×10”两种衰减形式，“×1”情况下不进行衰减。

3、在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT（ci）=0.356V；ID=1uA时，VGS=0.467V。在波形图上测量到gm（max）=26u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

4、如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

5、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

6、有两种测量阈值的方法：第一种方法是将一个栅极设置为固定的高电压偏置，然后调节另一个栅极电压；第二种方法是调节第二栅极的电压使得它与被测试栅极上的电压维持在一个固定的电压差值。

1、把万用表换到测量二极管的挡位！2找出MOS管内的体二极管，D/S极找到，G极确定，左到右依次是ＧＢＳ。3判断是N沟道还是P沟道。

2、若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。

3、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

4、做完以上准备工作后，按以下三个步骤操作，即可判断控制器好坏。

5、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

6、测试步骤：MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。