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一般说来，场效应管是不能直接用在交流电路中。必须将220V交流经过整流滤波，得到大约300V直流，然后根据电路的类型、功能来合理的设计电路，再决定管子的接法。
IGBT比MOS功率大频率高关断能力好。一般用于高电压大电流中频以上电路上，逆变电焊机大部分采用IGBT很少用场管。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。
zvs制作材料用低压48v以内用场效应管、IRF260 ，因为便宜而且电流大可惜耐压不能上市电，适合低压。
N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。
一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
1、目前，世界排名较前的板对板连接器的制造商主要有Tyco Electronics、Molex、 Amphenol、FCI、JAE。对于Tyco Electronics、Molex、 Amphenol的销售模式，主要已发展代理商为营销策略，目前他们在华的代理经销商主要是浩隆电子。
2、ERNI集团是全球连接器行业中公认的技术先锋，其生产和销售业务遍布欧洲、北美和亚洲，是全世界第一个欧式连接器的生产商，ERNI公司种类齐全的背板连接器和板对板连接器 ，其设计优越、不断创新。
3、JST日本压着端子连接器 日本压着端子，主要是做线到板的端子，胶壳及WAFER等，国内已经有很多仿品。现在亦有开发一些新产品。
4、手机板对板连接器厂家比较好的就是普瑞盛源这边，百度介绍这个厂家的手机板对板连接器生产工艺很高，有独家研发专利，有购买手机板对板连接器的需求可以找他们，他们提供的板对板连接器质量稳定，有更长的使用寿命。
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
A，40A，300V-50A，59A，120A，300V-260A MOS管。400V-6A，9A，10A，19A，25A，35A，400V-60A MOS管。主要的应用：逆变器、去频闪、通信电源、高压AC DC电源，便携式移动电源。大概这么多了，希望能帮助最好。
V86A，300V88A，300V94A，300V102A的MOS管，300V108A，300V110A，300V120A，300V130A，300V138A，300V140A的MOS，300V150A，300V170A，300V192A，300V210A的MOS管。海飞乐技术封装大功率MOS管，MOS模块。
MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
SOT23主要运用在遥控车，防盗器。GPS，遥控器...等小型产品上，SO-8 DPAK TO252主要用在一些大型的参赛赛车，遥控参赛飞机，电视，空调等大型电器设备。
要看功率的，不同功率的mosfet管封装会不一样。看你图片上的器件，FQA44N30，是Fairchild公司的产品，封装为TO-3P-3。具体尺寸自己去查datasheet。
AM2321P是MOS管，P沟道 20V (DS) MOSFET，封装为SOT23-3。
AOD442 60V，38/27A，N 高压板MOS管 贴片 AOD442 60V，38/27A，N 高压板MOS管 贴片 AOD444 60V，12A，N 高压板MOS管 贴片 AOP600 内含P、N沟道各1，30V 5A、30V 5A。
第一个：全型号是IRFR5305， P沟道MOS，封装是TO-252，厂家是IR，脚位是GDS，参数是31A 55V.第二个不清楚，估计是Ni沟道MOS 20A600V GDS脚位，这个是猜的。
IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
V/50A 、30V/80A、45V/50A、30V/50A、30V/150A、30V/20A、30V/50A、100V/13A。封装：TO-2TO-25TO-247。台湾芯片。免费送样。 追问 海飞乐MOS管，大批量出货中，台湾芯片。免费送样。导通电阻5mΩ上下。
大致分为：主要的有150V-2A，3A，15A，20A，150V-79A MOS管。其次是105A，150A，150V-310A ，250V-18A，33A，44A，250V-58A MOS管，69A，90A MOS管。
有100V110A，100A，150A，60A，70A，115A，14A，12A，8A，导通电阻：5mR~20mR，封装有DFN5*6，DFN3*3，TO-220，TO-247，TO-3P，TO-263，TO-252。
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
各行业应用较多的是TO-220F（塑封），TO-220AB（铁封），TO-3P，TO-247。因为芯片大小关系，电流小的一般用TO-220，而电流较大会用TO-247的。
MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
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