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当Vgs＜Vt时，源级漏级之间隔着P区，漏结反偏，故无漏级电流，Mos管不导通；当VgsVt时，栅极下的P型硅表面发生强反型，形成连通源区和漏区的N型沟道产生漏级电流ID，Mos管导通。
所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果在圆圈位置断开的仍无法关断，可以尝试短路G和S，再看看能否关断；如果仍无法关断，检查 MOS管 D和S是否接反；如果还是不行，确认型号是不是NMOS；当然也有可能是MOS坏了，换一个新的试试。
霍尔元件是一种基于霍尔效应工作的传感器，可以检测磁场的变化，并将其转换为电信号输出。在控制MOS管时，可以利用霍尔元件检测电流或电压的变化，将其转换为磁场的变化，并通过控制磁场的强度和方向来控制MOS管的导通和关断。
因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。要使MOS管的使能端为低电平，可以通过连接一个电阻器来将使能端连接到地面。当地面电势为低电平时，使能端口的电势也为低电平，从而使得MOS管工作被禁止。
MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。
MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。
关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。
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