mos管12v（MOS管12V开关电路）

发布时间：2023-09-02

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场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

可以参考图中电路自行修改电容C1的参数。把3脚接一个三极管来驱动继电器或者可控硅一类的元件。

原理：触摸延时开关的内部有一些电子元件组成，由人身体的感应~手指触发电路工作并给延时电容充满电，开关开了，电容中的电通过延时电路放电，电放光了这个通电保持过程结束，也就关了。

1、MOS管不饱和，压降高。原因可能是MOS管驱动问题，要加个中间级。振荡频率过低。储能电感偏小或漏感大。

2、， MOS管温度过高，有很多原因导致 2，你可以看看你设计负载和你实际使用负载差异多少？3，MOS是贴片还是直立？如果是直立是否有散热片，贴片是否有加大Layout面积？4，使用示波器观察一下MOS的G，D波形。

3、建议查看一下MOS管的栅极驱动电压，假如电压低于12V它的导通电阻就会比较大，工作电压降落在漏极和源极之间的电压就会比较高，那么工作电流乘以这个电压就成为发热功率。必要时需要专门用一个升压器，为驱动栅极工作。

4、最好要在12V左右。mos管厄雷电压最好要在12V左右，这个电压越底，导通损耗越大。mos管是金属氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属、绝缘体、半导体。

5、假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

mos管12v（MOS管12V开关电路）

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它MOS型晶体管。

Q19Q100输出的高电平为12V；低电平是0V，即GND。

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

当DO-carera 为0V时候，Q92不导通。Dout92为高电平，近11V。Q94接通。当DO-carera 为3V时候，Q92导通，Dout92为低电平。Q94截止。

而MOS在锂电池锂电池保护板上应用2pcs做为蓄电池充电维护，而在具体的工作上，依据不一样的运用，会应用好几个输出功率MOS管串联工作中，以减少通断电阻器，提高排热特性。

手电钻保护板mos一个和三个区别：手电钻保护板mos一个不能保护过充，如有电池充爆。三个可以过充保护，防止锂电池电芯过充导致电池损坏。

个。是锂电池保护板中的2mos，指该保护板中有两颗MOS管。这两颗mo管的作用是保护锂电池的充放电，保证锂电池不会过充过放的重要电子元期间。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

V~60V之间。显存供电MOS管的D极电压大小在20V~60V之间。显存供电MOS管的D极电压大小是需要根据具体的显存供电MOS管型号和设计要求进行确定的，不同的型号和设计要求可能具有不同的D极电压范围。

MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。