光耦正向电压（光耦的反向电压）

发布时间：2023-09-03

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光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

需要考虑的参数太多了，根据重要性主要有如下几个。首先是延迟时间，这个参数影响传输度。

光耦是一种将光信号转化为电信号的器件，通常由光源、光接收器和光隔离器组成。CTR（Current Transfer Ratio）是光耦的一个重要参数，它表示输出光电流与输入LED电流之间的比率。CTR的大小决定了光耦的灵敏度和信号传输效率。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

光耦正向电压（光耦的反向电压）

1、小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。

2、根据市场上常见的光耦规格，其耐压值一般在几百伏至数千伏之间，其中最高可达到数千伏的等级，具体取决于工作电压、绝缘材料以及结构设计等因素。

3、中大功率的LED（发光二极管）的反向击穿电压一般在30V-60V之间（有离散性，不是完全一样的），而正向工作电压约3V，所以其正向电压最好不要超过3V，否则容易烧毁。希望对你有帮助。

4、一般的发光二极管反向耐压是10－20V之间。

1、输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。

2、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

3、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

电压-断态： 600V，电流-通态(It(RMS))：(最大值) 25A，电压-栅极触发(Vgt)：(最大值)3V，电流-不重复浪涌(50，60Hz) 208A，250A。电流-栅极触发(Igt)：(最大值)80mA，电流-保持：(最大值) 100mA。

光耦3023引脚功能是提供双向交流，光耦3023有6个引脚、电路数通道数针脚数正向电压15 V、耗散功率0.33 W，三端双向可控硅开关元件输出。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

MOC301MOC302MOC302MOC302MOC3052 都是不带过零触发的光耦。

VDD的意思：电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电路）；漏极电压（场效应管）。VCC的意思：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)。

1、可以用光耦817来替代，光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(HVAC)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。

2、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

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