mos管和晶体管（mos管和晶体管控制的区别）

发布时间：2023-09-05

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1、MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

3、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

4、MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。

5、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

mos管和晶体管（mos管和晶体管控制的区别）

采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。

场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。

电力晶体管GTR是目前各种全控型器件中运用比较广泛的一种。它一般都是做成达林顿复合管的形势出现。

优点：场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

1、你好，知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。

2、MOS管在模拟电路中目前使用也比较多的，当然相对而言比普通晶体三极管要少点，这个应该与MOS管比三极管发展晚以及半导体技术发展一些有一定关系。晶体管品种和数量都要多一些，也更成熟，MOS管目前也逐渐越来越多了。

3、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

结型场效应管（JFET）的输入电阻至少几百KΩ数量级，MOS管的输入电阻应该是10MΩ数量级以上，但有的产品为了防止静电击穿，在输入端并联了一个二极管（反向接法），于是它的输入电阻就和结型场效应管相同了。

双极型晶体管和mos管有什么区别双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。

MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

场效应管与晶体管的区别：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

电力场效应晶体管管MOSFET，目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。

1、电力场效应晶体管管MOSFET，目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。

2、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

3、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。场效应管和晶体管的区别场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

4、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。