mos管双向导通（mos管双向电平转换）

发布时间：2023-09-07

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在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

mos管双向导通（mos管双向电平转换）

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。

可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

1、mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

2、放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

3、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

根据在门极(G)和主端(T1)间的正或者负的初始电流脉冲的不同，一般的四象限双向可控硅的门极允许在两个方向上都可以导通。

是在坐标系里设定的。电流流入电流为正流出为负触发电流流入为正，流出为负。这样就出象限了。所以就是相对。你也可以反过来但是就变成第三象限了。

关键词：mos管