双向可控硅温度控制（双向可控硅温度控制器怎么调）

发布时间：2023-09-17

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N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。

pid位置式算法，在温度比设定温度低x度时，用pd，当比设定温度低x度以内，用pid。可控硅部分，硬件用BTA26或者BT139（看加热器件的功率了），采用过零检测来确定过零点，用单片机的外部中断配合tmer，来控制开关时间。

单片机温度控制系统是以MSP430单片机为控制核心。整个系统硬件部分包括温度检测系统、信号放大系统、A/D转换、单片机、I/O设备、控制执行系统等。

1、你需要的配置是晶体管输出plc，模拟量输入模块。模拟量输入模块采集温度，pid根据这个温度运算，输出值程序转化为占空比脉冲，脉冲触发可控硅动作。建议你用固态继电器，比较方便。

2、如果原来的设备就是用PLC直接控制加热的，那么后面的不是可控硅，而是固态继电器。

3、配一温度模块测量实际温度，一块可控硅块按PLC输出量的大小执行相应的比例控制。比如200-500这一程序块，当温度为200时PLC输出100%模拟量，当为500时输0%模拟量。

4、如果是为了控制可控硅的导通使用，没有必要使用PLC，及使用PLC，也要用高速反反应的晶体管输出的，一般价格比较贵。对于可控硅的使用，生活中有很多的方面的。只不过一般功率较小就是了。

5、PLC通过信号线采集温度传感器的模拟信号，然后进行处理，由于温度传感器是模拟输出，PLC就要接模拟输入接口，两个能够配合。但由于温度传感器的型号不同，所以会有不同的接法。

6、控制要求将被控系统的温度控制在某一范围之间，当温度低于下限或高于上限时，应能自动进行调整，如果调整一定时间后仍不能脱离不正常状态。则采用声光报警，来提醒操作人员注意，排除故障。

双向可控硅温度控制（双向可控硅温度控制器怎么调）

给你这个双向可控硅控制电路，按图安装即可。

双向可控硅控制电路如下图，闭合开关后按一下按钮，双向可控硅控制极(G)有电流通过而触发导通(TT2导通)，继电器得电吸合。

如上图1 所示，左侧为两个30K/2W的电阻，这样限制输入电流为：220V/60K=67mA，由于该路仅仅是为了提取交流信号，因此小电流输入即可。

W1可调电阻应该作为重开和重关的范围预设，所以Vin-2电压随Vout2的时态而改变。而D5经R5接地可能将这点控制在下限0.6v左右。

T2脚接温控器的22接线端，同时接继电器的另一端和电源的应该是火线，T1脚接用电器。