mos管与mos管的互换（mos管的几个区和应用）

发布时间：2023-05-28

阅读量：99

本文目录一览：

mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。

MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个 100K 的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。MOS管的温度特性要比三极管好。

三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

mos管与mos管的互换（mos管的几个区和应用）

1、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

2、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

3、它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

4、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

因此直接互换肯定是不行的。但是如果选用合适的耐压，用小电流的MOSFET并联，并加以合适的驱动电路。

可以，但是IGBT那么贵，性价比也太低了吧。能用mos的当然先用咯。

IGBT管不可以直接替代MOS管。MOS管也无法改成IGBT。

不可以直接替换的，IGBT的驱动和MOS的最大不同在于它需要负电源驱动，以快速吸收电荷，防止拖尾电流。

如果开关频率低，20KHz到40KHz，且功率管的G极有合适的驱动，可以尝试替换，如果是较高的频率，普通IGBT无法承受。

不能替换，因为驱动参数不一样，而且IGBT开关速度没有场效应管快，如果充电站的开关频率很高，用IGBT是受不了的。

1、结型管一般都是小型的，大得很难买到。场效应管分成J-FET和MOSFET两种，不能等同。你还是用N-MOSFET好了。不过这种管子工作频率比较低，但电流很大。你的数据不太全，很难给型号。需要电流，供电电压，信号频率等参数。

2、理论上讲是可以的。但是有些场效应管内部在DS间反向并联了一个续流二极管，就不行了。

3、P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

4、控制220V交流电压不用MOS管，因为MOS管的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。

5、三极管有反接CE极的，这种非常规的应用很少。至于MOSFET，DS反接应该是不可以的，但是我觉得试一下的好。

6、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。

NMOS和PMOS的版图区别在于PMOS要形成P沟道（PNP），所需载流子为空穴，开关速度慢。NMOS要形成N沟道（NPN），所需载流子为电子e，开关速度快。NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

MOS互补电路，即为CMOS（Complementary Mos)，其特点是在一块p衬底上嵌入N阱，进而可以使得NMOS和PMOS做到一起，减少面积。

不能工作。开启电压大概是指数值上相等。而且PMOS的VGS也是负的，当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通。低电平时PMOS的VGS的绝对值很大，NMOS的VGS的绝对值很小，所以pmos导通，NMOS截止。

由NMOS和PMOS两种管子组成电路可称为互补MOS电路，即CMOS电路。CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。