硅三极管（硅二极管的作用）

发布时间：2023-05-31

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可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。

通常用管压降来判断是硅管还是锗管。因为两者的正向管压降差别很大，硅管为0.7伏左右，而锗管只有0.3伏左右。

区分三极管材料是硅还是锗的方法：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

楼上正解，还可以从型号上区别，国产的以3A**、3B**开头的三极管，以2A**、2B**开头的二极管都是锗管。以3C**、3D**开头的三极管，以2C**、2D**开头的二极管都是硅管，现在硅管很普遍，锗管较少。

用万用表测量：硅管反向电阻大，锗管反向电阻相对小。用JT仪器测量：硅管正向电压为0.7V，锗管正向电压为0.3V。

：锗管be在0.2左右，硅管be在0.7左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是npn管，此时另两极中电压较高的是b。

硅三极管（硅二极管的作用）

1、①、关于以上这C2383-Y属于Si-NPN型三极管，一般用于CTⅤ、低频或音频放大〈LF〉、场输出〈VA〉，直插封装，其参数是//耐压：160V//电流：1A//功率0.9W//频率：20MHz//。此管可直接用 2SC3222SD1812代换。

2、c2383是小功率三极管，参数是 160v 1a 0.9w npn。

3、A//功率：0.75W//频率：150MHz//。②、关于以上那C2383属于Sⅰ-NPN型三极管，其参数是//耐压：160V//电流：1A//功率：9W//频率：20MHz//。③、向以上那D965不能用C2383代换，可直接用2SD966代换。

4、C2383的具体参数为：NPN 160V 1A 0.9W 类似功率瓦数的可替代型号：C2232N3440、2N5551。PS：其中2N3440与C2383的参数最接近，用于代替其功能最好。其次是2N5551，最次的是C2235。

5、C2383指的就是2SC2383 这是日本三极管的命名法则，一般前面的2S通常省略掉，其含义如下：2 代表具有两个PN结的半导体 S 代表该半导体在日本电气工业协会登记注册你可以到百度上或Google上搜索有关日本半导体命名法则看看。

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

三极管锗材料和硅材料都是四价元素，但锗材料比硅材料活泼，所以锗材料电阻率低，硅材料电阻率高，同样的PN结，锗材料的正向结电压才0.2~0.4V，硅就要0.5~2V。同样的反向电压，锗管的体积要大，硅管的体积小。

区分方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。也可以看型号上标明的是硅管还是锗管。

你好：——★由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是：锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。

硅的带隙更大，具有更好的热稳定性，比较耐高温；硅的价格便宜，硅都是沙子提炼出来的，硅晶体管的制作工艺虽然复杂，但是原料接近成本价。硅和锗储量相差巨大。

硅工艺中的SiO2/Si体系非常稳定并且界面态密度低、缺陷和陷阱少。

三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。

第Ⅳ族的锗和硅的最外层电子有4个，原子之间能够形成排列整齐的晶格价键。而临近的Ⅲ族和Ⅴ族则变成了掺杂元素。

因为锗三极管热稳定性差，漏电大（主要是其Iceo这个参数太差）故现在锗三极管已很少使用。锗管的优点就是饱和压降小。

1、三极管的导通电压是不确定的，因为是电流控制元件。

2、一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

3、加在三极管基极与发射极之间的电压叫基极偏置电压，三极管导通时一般硅管为0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

4、一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。

5、硅型晶体管的导通电压为（0.7 ）V，锗的导通电压为（ 0.3）V。